退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:硅三间隙缺陷的快速扩散机理
Du, Yaojun; Barr, Stephen A.; Hazzard, Kaden R. A.; Lenosky, Thomas J.; Hennig, Richard G.; Wilkins, John W.;
机译:从头开始研究硅在宽温度范围内的自扩散:点缺陷状态和迁移机理
机译:硅的扩散机理和本征点缺陷性质
机译:模拟固体中缺陷构型,产生和扩散机制的新紧密结合方法:在硅中的应用
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:在磷脂P beta液晶中沿着缺陷和波纹快速扩散。
机译:硅三元间隙缺陷的快速扩散机制
机译:l brace 311(r brace)离子注入硅中的缺陷:瞬态扩散的原因,以及形成位错的机制
机译:硅集成电路制造中的缺陷形成控制方法,氧化物质量和缺陷形成的控制方法,双扩散集成电路器件以及集成MOSFET单元的形成
机译:控制硅集成电路制造中的缺陷的方法,控制氧化物膜质量和缺陷形成的方法,以及形成双扩散集成电路器件单元和集成电路MOSFET单元的方法
机译:控制硅集成电路制造中的缺陷形成的方法,控制氧化物膜和缺陷形成的质量的方法以及形成双扩散集成电路器件单元和集成电路MOSFET单元的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。